安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列,应用于服务器和电信

  2021年12月8日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),发布新的600 V SUPERFET® V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定,如80 PLUS Titanium,尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化,可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列,应用于服务器和电信

  600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声,从而降低电磁干扰(EMI),这对服务器和电信系统是个显著的好处。此外,强固的体二极管和较高的VGSS(DC 30 V)增强了系统可靠性。

  安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说:“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标,要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%,在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求,提供强固的方案,确保持续的系统可靠性。”

  FAST版本在硬开关拓扑结构(如高端PFC)中提供极高能效,并经过优化以提供更低的门极电荷(Qg)和EOSS损耗,实现快速开关。该版本的最初器件包括NTNL041N60S5H(41 mΩ RDS(on))和NTHL185N60S5H(185 mΩ RDS(on)),都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装,NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封装,保证达到湿度敏感等级MSL 1,并具有开尔文(Kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。

  Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构,包含一个内置门极电阻(Rg)及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途,包括PFC和LLC。在这些器件中,门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS(on) 超过120 mΩ,对门极氧化物的应力更小,ESD耐用性更高,从而提高封装产量,降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)为99 mΩ和120 mΩ,均采用TO-247封装。

  快速恢复(FRFET®)版本适用于软开关拓扑结构,如移相全桥(PSFB)和LLC。它们的优势是快速体二极管,并提供降低的Qrr和Trr 。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)为125 mΩ,采用TO-220封装,而NTMT061N60S5F 的RDS(on)为61 mΩ,采用Power88封装。损耗最低的器件是NTHL019N60S5F,RDS(on)仅19 mΩ,采用TO-247封装。

  关于安森美(onsemi)

  安森美(onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)正推动颠覆性创新,帮助建设更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动大趋势的变革,包括汽车功能电子化和安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美以高度差异化的创新产品组合,创造智能电源和感知技术,解决世界上最复杂的挑战,并引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。

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